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日(rì)本KIKUSUI鞠水(shuǐ)PID絕(jué)緣測(cè)量儀(yí)

日(rì)本KIKUSUI鞠(jū)水PID絕(jué)緣測量(liáng)儀

簡要描述(shù):

日本(běn)KIKUSUI鞠水(shuǐ)PID絕緣(yuán)測量(liáng)儀 TOS7210S (SPEC80776)
概要
PID絕(jué)緣(yuán)測試儀(yí)(TOS7210S)是(shì)為(wéi)準確(què)有(yǒu)效地對太(tài)陽能電池(chí)模塊的PID(Potential Induced Degradation)現象進行評(píng)估,以絕(jué)緣(yuán)電阻測試儀(TOS7200)為(wéi)基(jī)礎(chǔ)設(shè)計而成的測試儀。
附有(yǒu)極(jí)性(xìng)切換(huàn)功能(néng),輸出(chū)電(diàn)壓(yā)可(kě)達2000V,同時(shí)裝載(zǎi)了n*分(fēn)辨率的電(diàn)流表(biǎo),因此(cǐ)不(bù)僅可以進(jìn)行PID評估(gū),

產(chǎn)品型號(hào):TOS7210S (SPEC80776)

產品時間(jiān):2025-05-19

 日本(běn)KIKUSUI鞠水PID絕緣測量儀 TOS7210S (SPEC80776)

 

概(gài)要

PID絕緣(yuán)測試儀(TOS7210S)是(shì)為(wéi)準確有效地(dì)對太陽(yáng)能電(diàn)池(chí)模(mó)塊的(dí)PID(Potential Induced Degradation)現(xiàn)象(xiàng)進行(háng)評(píng)估,以絕緣(yuán)電阻(zǔ)測試儀(yí)(TOS7200)為基(jī)礎設計而成的測試儀(yí)。
附(fù)有(yǒu)極性切(qiē)換(huàn)功能,輸出(chū)電(diàn)壓可(kě)達2000V,同(tóng)時裝(zhuāng)載了n*分(fēn)辨(biàn)率的電流表,因此(cǐ)不僅可以進行PID評估,還(huán)可以(yǐ)用於要(yào)求進(jìn)行(háng)高(gāo)敏感度(dù)測試的(dí)絕緣體(tǐ)評估測試(shì)。標準安(ān)裝(zhuāng)了(liǎo)可(kě)從外部(bù)調用(yòng)的(dí)麵(miàn)板存儲器及RS232C接口(kǒu),因(yīn)此也可以靈(líng)活對(duì)應自(zì)動化係統(tǒng)。

什麼是(shì)PID現象(xiàng)?
PID現(xiàn)象是指(zhǐ)太陽(yáng)能電(diàn)池與邊(biān)框長期(qī)被施以(yǐ)高電壓,電池發電(diàn)量(liáng)顯(xiǎn)著降低的現象。目前認(rèn)為所施(shī)加的電(diàn)壓越高,越是在高(gāo)溫(wēn),高(gāo)濕的環境(jìng)下劣化現(xiàn)象越嚴重。如晶體矽太(tài)陽能電池(chí)模(mó)塊的輸(shū)出電壓即(jí)使隻有(yǒu)數(shù)十(shí)V,一旦直(zhí)接(jiē)連(lián)接(jiē)的片數(shù)增加,串內的(dí)電(diàn)位差將(jiāng)變得非常高。一方麵,PCS(Power Conditioning System)作為(wéi)交流(liú)電源(yuán)與係(xì)統相連(lián),使接地形態發生變化(huà)。輸(shū)入端采用(yòng)浮接(jiē)(一側(cè)電極不(bù)能接地綫(xiàn))的無(wú)變壓器(qì)方式近(jìn)年有(yǒu)所(suǒ)增加。這種(zhǒng)情(qíng)況下電池(chí)和地綫間將發(fā)生高電位差(chà)。現在(zài)可明(míng)確(què)的(dí)是(shì),晶體(tǐ)矽太陽能電池模塊(kuài)中,相(xiāng)對於(yú)邊(biān)框(kuàng)(接(jiē)地綫)負(fù)極(jí)電位(wèi)高(gāo)的電(diàn)池容(róng)易發(fā)生PID現象。(請(qǐng)參(cān)照圖(tú)1)目(mù)前,日本國(guó)內以大(dà)600V,歐洲(zhōu)以(yǐ)大(dà)1000V的係統(tǒng)電壓運行太(tài)陽(yáng)能(néng)電(diàn)池模(mó)塊,但(dàn)是目(mù)前(qián)出(chū)現(xiàn)了提高大係統電壓以削減(jiǎn)企業用(yòng)大規模太陽(yáng)能發電(diàn)係統(tǒng)的(dí)串數(shù),PCS總數,提高發電效(xiào)率的趨勢。

圖(tú)2模擬(nǐ)了(liǎo)晶(jīng)體矽太(tài)陽能(néng)電池(chí)模塊的處於(yú)高電(diàn)位(wèi)差的(dí)狀(zhuàng)況。邊框(kuàng)為正(zhèng)極電位,模(mó)塊(kuài)電(diàn)路處(chǔ)於負(fù)*電位的狀況。目(mù)前認(rèn)為是由(yóu)於(yú)超(chāo)白(bái)鋼化(huà)玻璃(lí)內(nèi)的(dí)鈉離子(zǐ)向電池(chí)側(cè)遷移而(ér)引起劣(liè)化。(薄膜太(tài)陽(yáng)能電池模(mó)塊(kuài)也被確認出現PID現(xiàn)象,但(dàn)是發(fā)生劣(liè)化的機製(zhì)與晶(jīng)體(tǐ)矽太(tài)陽能(néng)電池(chí)模塊不同(tóng)。)現(xiàn)在,各種研究機構(gòu)正(zhèng)在通(tōng)過研究(jiū),試(shì)驗查(chá)找(zhǎo)PID現象(xiàng)的(dí)原(yuán)因。

 特長

  • 可(kě)任意設定(dìng)輸出(chū)電壓(yā)
    可將對(duì)被檢品(pǐn)施加的(dí)測試(shì)電壓設定在(zài)50Vdc-2000Vdc(分辨率1V)範圍內。假設太陽能發(fā)電係(xì)統(tǒng)的電(diàn)壓在(zài)1000V以(yǐ)上(shàng),可對其進(jìn)行評(píng)估。此外(wài),在電氣(qì)/電子(zǐ)部件,電氣/電子(zǐ)設(shè)備的(dí)絕緣電阻測試(shì)中,也可(kě)對應JIS C 1302: 1994所規(guī)定的(dí)電壓範(fàn)圍(wéi)以(yǐ)外的(dí)測試(shì)。在50V-1000V範圍(wéi)內,輸(shū)出(chū)特性(xìng)以JIS C 1302: 1994為基準。
  • 極性(xìng)切(qiē)換功(gōng)能
    可通(tōng)過主機麵板的(dí)開關輕鬆(sōng)切換(huàn)輸出(chū)極(jí)性(xìng)。PID現(xiàn)象是(shì)一種(zhǒng)可(kě)逆現(xiàn)象,施(shī)加負偏(piān)壓電壓(yā)可能會恢(huī)復(fù)。極性切(qiē)換是一項(xiàng)不需(xū)要對(duì)被(bèi)檢品實施(shī)配綫(xiàn)變更(gēng)的(dí)便(biàn)利(lì)功能。此外(wài),通過RS232C接口可實(shí)施由(yóu)外部(bù)控製的(dí)切(qiē)換。
  • 建立(lì)輸出端(duān)的(dí)浮(fú)地
    輸(shū)出(chū)端(duān)子(zǐ)與(yǔ)接地(dì)電(diàn)位間為浮地(dì)狀(zhuàng)態(*1)。此外(wài),使(shǐ)用(yòng)屏蔽電纜作為輸出電(diàn)纜(lǎn) (TL51-TOS)。這(zhè)樣就(jiù)不會測量被(bèi)檢(jiǎn)品與大地間的電流,隻(zhī)測量測(cè)試點間(jiān)的電流(liú),可確保(bǎo)評估測(cè)試(shì)的(dí)高(gāo)敏(mǐn)感度(dù)和(hé)精性。
    *1:設定為(wéi)正(zhèng)極的(dí)端子(zǐ)的對地(dì)電(diàn)壓(yā)(±1000Vdc)設定(dìng)為(wéi)負極的端(duān)子的(dí)對地(dì)電壓(+1000Vdc及(jí)-3000Vdc)
  • 模(mó)擬輸(shū)出端子
    在電阻(zǔ)顯(xiǎn)示(shì)模(mó)式中,基(jī)於(yú)對數壓(yā)縮將對應電阻(zǔ)測(cè)量(liáng)值(zhí)的電壓(yā)輸出限(xiàn)製(zhì)在0V-4V之間(jiān)。在電(diàn)流顯示模式中,對(duì)應電(diàn)流測量值及(jí)測(cè)量量程(4個(gè)量程)按(àn)綫(xiàn)性標度(dù)輸(shū)出。使用(yòng)數(shù)據記(jì)錄器等外(wài)部記(jì)錄(lù)設備可對(duì)被(bèi)檢品的變化,劣化(huà)狀(zhuàng)況進行解析。

 陣容(róng)

型號規格
TOS7210S (SPEC80776)PID絕緣(yuán)測試(shì)儀(yí)(TOS7210S)是為(wéi)準(zhǔn)確(què)有(yǒu)效(xiào)地對太陽能電(diàn)池(chí)模(mó)塊(kuài)的(dí)PID(Potential Induced Degradation)現象進(jìn)行評估(gū), 以絕緣電(diàn)阻測試儀(TOS7200)為基(jī)礎設(shè)計(jì)而成的測試儀, 可在50Vdc-2000Vdc(分辨(biàn)率1V)範圍(wéi)內實施設(shè)定(dìng), 可(kě)通(tōng)過麵板側的開(kāi)關即時切(qiē)換(huàn)施加(jiā)電(diàn)壓(yā)極(jí)性, 輸(shū)出端子(zǐ)與接(jiē)地(dì)電位間(jiān)為(wéi)浮地(dì)狀態(tài), 隻測(cè)量(liáng)通過(guò)測(cè)量(liáng)點(diǎn)間(jiān)的(dí)電流. 可對電流測(cè)量值(zhí)或(huò)電(diàn)阻測量值進行切換(huàn)顯示(shì), 測(cè)試綫(TL51-TOS)包(bāo)括

日(rì)本KIKUSUI鞠水PID絕緣測量儀 TOS7210S (SPEC80776)

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